温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTH4LN067N65S3H-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为650V N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），具备良好的导通特性和开关性能。其最大漏极电流ID为29A，导通电阻RDON低至60mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统能效。器件采用成熟半导体工艺制造，具备较高的耐用性和稳定性，适用于多种高性能电源转换场景，如高效节能电源、智能电网设备及可再生能源系统中的功率控制单元。
- 商品型号
- NTH4LN067N65S3H-HXY
- 商品编号
- C48972082
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.603333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |
相似推荐
其他推荐
- IPW60R070P6-HXY
- NTHL067N65S3H-HXY
- SIHG44N65EF-GE3-HXY
- NVHL082N65S3F-HXY
- IPW60R070CFD7XKSA1-HXY
- SCT3030KLHRC11-HXY
- SCT3080KLGC11-HXY
- SCT2080KEGC11-HXY
- SCT2080KEC-HXY
- SCT2080KEHRC11-HXY
- MSC750SMA170SA-HXY
- SCT2160KEC-HXY
- IMW65R030M1HXKSA1-HXY
- NTHL045N065SC1-HXY
- MSC080SMA120B4-HXY
- DMWS120H100SM4-HXY
- SC060N065T8L-HXY
- E3M0060065D-HXY
- UJ3C120080K3S-HXY
- SCT3080KLHRC11-HXY