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IPW60R070P6-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和29A的最大连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至60mΩ，适用于高效率、高功率密度的开关电路设计。器件采用成熟稳定的制造工艺，具有良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、电机控制、储能系统及精密电子设备中的高频开关应用。封装形式可根据需求适配多种标准规格，便于在不同电路环境中安装与使用。
- 商品型号
- IPW60R070P6-HXY
- 商品编号
- C48972083
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.456667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |
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