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IPL60R115CFD7-HXY
IPL60R115CFD7-HXY
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备17A的漏极电流（ID）和650V的漏源耐压（VDSS），适用于中高功率电源管理应用。导通电阻（RDON）为100mΩ，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件采用成熟稳定的工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性，可广泛应用于开关电源、直流电机驱动、LED照明控制及各类中高电压电子设备中，满足多样化电路设计需求。
- 商品型号
- IPL60R115CFD7-HXY
- 商品编号
- C48972074
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |