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IPL65R195C7-HXY
IPL65R195C7-HXY
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备10A连续漏极电流（ID）和650V漏源耐压（VDSS），可满足较高功率场景的需求。导通电阻（RDON）为160mΩ，有助于降低能量损耗并提升整体效率。该器件适用于电源转换、开关电路、电机控制以及高性能电子设备中的功率管理模块，具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合对效率与可靠性有较高要求的设计应用。
- 商品型号
- IPL65R195C7-HXY
- 商品编号
- C48972077
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ |
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