温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SCT3017ALHRC11-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高功率密度和高效能的电源转换系统。主要参数包括：漏极电流ID可达120A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为15mΩ，具备较低的导通损耗和优异的开关性能。器件采用高耐压设计，适合用于各类中高压电力电子设备中的主开关或同步整流电路，例如电源适配器、充电装置、储能系统及智能家电等应用中的电力调控模块。
- 商品型号
- SCT3017ALHRC11-HXY
- 商品编号
- C48972078
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.156667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |
相似推荐
其他推荐
- STY139N65M5-HXY
- SCT3080KRC14-HXY
- UF4C120070K4S-HXY
- NTH4LN067N65S3H-HXY
- IPW60R070P6-HXY
- NTHL067N65S3H-HXY
- SIHG44N65EF-GE3-HXY
- NVHL082N65S3F-HXY
- IPW60R070CFD7XKSA1-HXY
- SCT3030KLHRC11-HXY
- SCT3080KLGC11-HXY
- SCT2080KEGC11-HXY
- SCT2080KEC-HXY
- SCT2080KEHRC11-HXY
- MSC750SMA170SA-HXY
- SCT2160KEC-HXY
- IMW65R030M1HXKSA1-HXY
- NTHL045N065SC1-HXY
- MSC080SMA120B4-HXY
- DMWS120H100SM4-HXY
- SC060N065T8L-HXY