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STY139N65M5-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和可靠性，适用于多种高效率电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为120A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDON低至15mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和耐高温能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及高密度电力电子设备中的功率调节与管理环节，满足对性能与空间优化有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- STY139N65M5-HXY
- 商品编号
- C48972079
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |
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