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IPL60R180P6AUMA1-HXY
氮化镓增强型功率晶体管
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受最高10A的连续漏极电流（ID）。导通状态下，其导通电阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路及各类功率控制设备中，具备良好的热稳定性和响应速度，适合对性能和可靠性有较高要求的电子设计方案。
- 商品型号
- IPL60R180P6AUMA1-HXY
- 商品编号
- C48972076
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.265306克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ |
商品特性
- 增强型晶体管，常关型功率开关
- 超高的开关频率
- 无反向恢复电荷
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 符合JEDEC标准，适用于工业应用
- ESD保护
- 符合RoHS、无铅、REACH标准
应用领域
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
- 图腾柱功率因数校正
- 快速电池充电
- 高密度功率转换
- 高效率功率转换
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