温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVH040N65S3F-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）采用高性能工艺设计，具备优良的导电能力和稳定性。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDON低至33mΩ，能够在高电压和大电流环境下实现高效运行。器件结构优化，适用于电源转换、充电控制、能源管理等各类电子系统中的高频开关应用，满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。
- 商品型号
- NVH040N65S3F-HXY
- 商品编号
- C48972068
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.166667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
相似推荐
其他推荐
- NVHL040N65S3F-HXY
- STWA70N65DM6-HXY
- TP65H035WS-HXY
- NTH4L027N65S3F-HXY
- SCT3017ALHRC11-HXY
- STY139N65M5-HXY
- SCT3080KRC14-HXY
- UF4C120070K4S-HXY
- NTH4LN067N65S3H-HXY
- IPW60R070P6-HXY
- NTHL067N65S3H-HXY
- SIHG44N65EF-GE3-HXY
- NVHL082N65S3F-HXY
- IPW60R070CFD7XKSA1-HXY
- SCT3030KLHRC11-HXY
- SCT3080KLGC11-HXY
- SCT2080KEGC11-HXY
- SCT2080KEC-HXY
- SCT2080KEHRC11-HXY
- MSC750SMA170SA-HXY
- SCT2160KEC-HXY