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NTH4L027N65S3F-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力和优异的导电效率。其最大漏极电流ID可达97A，漏源电压VDSS支持650V，导通电阻RDON低至25mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件适用于高频开关电源、电力转换系统、新能源设备及精密电子控制电路等应用领域，在高负载与高效率要求的场景中表现出色，满足多样化电力管理需求。
- 商品型号
- NTH4L027N65S3F-HXY
- 商品编号
- C48972072
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.386667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 359pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ |
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