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NVHL040N65S3F-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点，适用于多种电源管理及功率控制场合。其主要参数为：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDON低至33mΩ，能够在较高电压和电流条件下实现稳定工作。器件设计优化，支持高频开关操作，广泛用于电源转换器、充电设备、储能系统以及各类电子装置中的功率控制单元，满足高效能与低损耗的应用需求。
- 商品型号
- NVHL040N65S3F-HXY
- 商品编号
- C48972069
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.163333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |
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