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STWA70N65DM6-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能，适用于高效率电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDON低至33mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装形式，广泛应用于各类电力电子设备中的开关电源、DC-DC转换器以及负载管理电路中，满足高可靠性与高性能的设计需求。
- 商品型号
- STWA70N65DM6-HXY
- 商品编号
- C48972070
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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