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NVHL040N65S3HF-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能和可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS高达650V，导通电阻RDON仅为33mΩ，确保了在高负载条件下的稳定运行与低功耗表现。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和耐压能力，适合用于高频率开关电源、功率转换器以及各类精密电子设备中的功率控制单元。
- 商品型号
- NVHL040N65S3HF-HXY
- 商品编号
- C48972067
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.173333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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