SCT2160KEHRC11-HXY

SCT2160KEHRC11-HXY

描述

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）和17A的额定漏极电流（ID），适用于高电压和中等功率应用场景。导通电阻（RDON）典型值为160mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、开关电路、电机控制及高密度电力电子设备中，为电路设计提供高效、稳定的性能支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SCT2160KEHRC11-HXY

商品编号

C48972057

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)