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FCHD040N65S3-F155-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能指标，适用于高功率应用场景。其漏源电压VDSS可达650V，最大漏极电流ID为49A，导通状态下的源漏电阻RDON低至33mΩ，有效降低导通损耗并提升系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于高性能电源转换设备、通信基础设施、服务器供电系统以及新能源相关技术中的开关与整流应用。
- 商品型号
- FCHD040N65S3-F155-HXY
- 商品编号
- C48972065
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.193333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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