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GAN041-650WSBQ-HXY

碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET

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描述: 本N沟道场效应管（MOSFET）具有高性能开关与导通能力，适用于多种高功率电子系统。其漏源电压（VDSS）为650V，支持高压环境下的稳定运行；最大漏极电流（ID）可达49A，满足较大功率输出需求。导通电阻（RDON）低至33mΩ，有助于降低能耗并提升效率。器件适用于各类电源变换装置、高效能电机驱动、储能管理系统及高频电子设备中的开关控制电路，提供可靠且高效的性能表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: GAN041-650WSBQ-HXY
商品编号: C48972063
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.18克(g)

商品参数

商品概述

该产品采用第三代碳化硅MOSFET技术，具备优化的封装设计，带有独立的驱动源引脚。它实现了高阻断电压与低导通电阻的结合，支持高速开关且具有低电容特性。其本征二极管响应快速，反向恢复电荷低。该产品符合无卤素要求，遵循RoHS标准。使用该产品有助于降低开关损耗、减少栅极振铃、提升系统效率、降低散热需求、增加功率密度，并提高系统开关频率。

商品特性

采用第三代碳化硅MOSFET技术
优化的封装设计，带有独立的驱动源引脚
高阻断电压与低导通电阻
高速开关，电容低
本征二极管响应快速，反向恢复电荷低
符合无卤素要求，遵循RoHS标准

应用领域

可再生能源
电动汽车电池充电器
高压DC/DC转换器
开关模式电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	类型	N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	49A
	耗散功率(Pd)	242W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	96nC
	输入电容(Ciss)	1.823nF
	反向传输电容(Crss)	19pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	输出电容(Coss)	190pF
	导通电阻(RDS(on))	49mΩ