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GAN041-650WSBQ-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有高性能开关与导通能力，适用于多种高功率电子系统。其漏源电压（VDSS）为650V，支持高压环境下的稳定运行；最大漏极电流（ID）可达49A，满足较大功率输出需求。导通电阻（RDON）低至33mΩ，有助于降低能耗并提升效率。器件适用于各类电源变换装置、高效能电机驱动、储能管理系统及高频电子设备中的开关控制电路，提供可靠且高效的性能表现。
- 商品型号
- GAN041-650WSBQ-HXY
- 商品编号
- C48972063
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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