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STW70N65DM6-4-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的电性能和高可靠性，适用于多种电源管理与功率转换场景。其漏源电压VDSS为650V，支持较高电压环境下稳定运行；漏极电流ID可达49A，满足大电流应用需求；导通电阻RDON低至33mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。器件适用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及各类高效能电子设备中的高频开关电路，具备良好的热稳定性和耐压能力，可有效保障系统长时间运行的稳定性与安全性。
- 商品型号
- STW70N65DM6-4-HXY
- 商品编号
- C48972059
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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