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NTH4LN040N65S3H-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的高压大电流特性，适用于多种功率转换与电源管理应用。其漏源电压VDSS为650V，支持在较高电压条件下稳定工作；漏极电流ID可达49A，能够满足对电流承载能力有较高要求的电路设计；导通电阻RDON低至33mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。该器件适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备及高性能电子装置中的高频开关电路，具有良好的热稳定性与长期运行可靠性。
- 商品型号
- NTH4LN040N65S3H-HXY
- 商品编号
- C48972060
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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