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NTH4L040N65S3F-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有出色的导通与开关特性，适用于高功率应用场景。其漏源电压VDSS为650V，可承受较高工作电压；最大漏极电流ID达49A，支持大电流输出。导通电阻RDON仅为33mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，广泛适用于电源转换、电机控制、储能装置及高性能电子设备中的高频开关电路设计。
- 商品型号
- NTH4L040N65S3F-HXY
- 商品编号
- C48972062
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 241W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.509nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ |
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