SCT2160KEGC11-HXY
SCT2160KEGC11-HXY
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电压与电流耐受能力，适用于多种功率控制场景。其主要参数包括：漏极电流ID为17A，漏源电压VDSS达1200V，导通电阻RDON为160mΩ。较高的耐压能力支持其在高压电路中稳定工作，同时适中的导通电阻有助于提升整体转换效率。该器件可广泛应用于电源变换、高精度开关电路及电力电子装置中，满足对性能和可靠性有要求的电路设计方案。
- 商品型号
- SCT2160KEGC11-HXY
- 商品编号
- C48972056
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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