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DMTH6004SK3-13-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备130A的连续漏极电流（ID）与60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高功率密度电路设计。导通电阻（RDON）低至3mΩ，有效降低导通损耗，提高系统整体效率。支持最高20V栅源电压（VGS），保障器件在复杂工况下的稳定运行。该器件可广泛应用于高性能电源、同步整流、电池管理及高效DC-DC转换电路中，满足对效率、可靠性要求较高的电子系统设计需求。
- 商品型号
- DMTH6004SK3-13-HXY
- 商品编号
- C48972054
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.666nF |
商品概述
DMTH6004SK3 - 13采用先进的SGT MOSFET技术,可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 130 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 3.5 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用
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