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DMTH6004SK3-13-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备130A的连续漏极电流（ID）与60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高功率密度电路设计。导通电阻（RDON）低至3mΩ，有效降低导通损耗，提高系统整体效率。支持最高20V栅源电压（VGS），保障器件在复杂工况下的稳定运行。该器件可广泛应用于高性能电源、同步整流、电池管理及高效DC-DC转换电路中，满足对效率、可靠性要求较高的电子系统设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMTH6004SK3-13-HXY
商品编号: C48972054
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.385克(g)

商品参数

IRFZ44EPBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。