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DMTH6004SK3Q-13-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有130A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于较高功率密度的应用场景。导通电阻（RDON）低至3mΩ，可显著减少导通损耗，提升整体能效。支持最高20V栅源电压（VGS），确保器件在多种工作条件下稳定运行。该MOSFET适合用于高性能电源系统、同步整流、电池管理系统及各类高效能转换电路中，满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMTH6004SK3Q-13-HXY
商品编号: C48972053
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.385859克(g)

商品参数

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。