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IRFZ44EPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFZ44EPBF-HXY

N沟道 耐压:60V 电流:60A

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描述
本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具备60A的连续漏极电流(ID)和60V的漏源击穿电压(VDSS),适用于中高功率应用场景。导通电阻(RDON)低至17mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。栅源电压(VGS)最大支持20V,确保器件稳定工作。该器件适用于电源管理、开关电路、电机控制及高效DC-DC转换器等各类通用电子设备设计。
商品型号
IRFZ44EPBF-HXY
商品编号
C48972052
商品封装
TO-220C​
包装方式
管装
商品毛重
2.786克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)39nC@10V
输入电容(Ciss)4.05nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)430pF

商品概述

IRFZ44EPBF采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 60A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 18mΩ

应用领域

  • 高效开关模式电源
  • 功率因数校正
  • 电子灯镇流器

数据手册PDF