温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFZ44EPBF-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备60A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至17mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大支持20V，确保器件稳定工作。该器件适用于电源管理、开关电路、电机控制及高效DC-DC转换器等各类通用电子设备设计。
- 商品型号
- IRFZ44EPBF-HXY
- 商品编号
- C48972052
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.786克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V
- 漏极电流（ID） = 40A
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(on)） < 7.5 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(on)） < 10.5 mΩ
- 超结沟槽（SGT）技术
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理
相似推荐
其他推荐
- DMTH6004SK3Q-13-HXY
- DMTH6004SK3-13-HXY
- SQD50034E_GE3-HXY
- RJK5009DPP-HXY
- R5016FNX-HXY
- FDA24N50F-HXY
- FQA24N50-HXY
- FDA20N50F-HXY
- FDA20N50-HXY
- NVATS5A302PLZT4G-HXY
- IRF7389TRPBF-HXY
- SH8MA3TB1-HXY
- ZXMC3A16DN8QTA-HXY
- IRF7389PBF-HXY
- AUIRF7319QTR-HXY
- BSC0805LSATMA1-HXY
- BSC070N10LS5ATMA1-HXY
- FDMS86182-HXY
- NTMFS10N7D2C-HXY
- FDMS86103L-HXY
- DMT10H009SPS-13-HXY