立创商城logo
购物车0
RFP50N06-HXY实物图
  • RFP50N06-HXY商品缩略图
  • RFP50N06-HXY商品缩略图
  • RFP50N06-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RFP50N06-HXY

无 耐压:60V 电流:60A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
本款N沟道场效应管(MOSFET)主要参数如下:漏极电流ID可达60A,漏源电压VDSS为60V,导通电阻RDON低至17mΩ,栅源电压VGS最大支持20V。该器件适用于多种高效率功率电路应用,如电源转换、电机控制、储能系统及高频开关电路,具备优异的热稳定性和低损耗特性,适合对性能和可靠性有较高要求的电子系统设计。
商品型号
RFP50N06-HXY
商品编号
C48972051
商品封装
TO-220C​
包装方式
管装
商品毛重
2.776克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)39nC@10V
输入电容(Ciss)4.05nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)430pF

商品概述

RFP50N06采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 60A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 18mΩ

应用领域

  • 高效开关模式电源
  • 功率因数校正
  • 电子灯镇流器
  • TO - 220封装
  • N沟道MOSFET

数据手册PDF