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RFP50N06-HXY
无 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至17mΩ，栅源电压VGS最大支持20V。该器件适用于多种高效率功率电路应用，如电源转换、电机控制、储能系统及高频开关电路，具备优异的热稳定性和低损耗特性，适合对性能和可靠性有较高要求的电子系统设计。
- 商品型号
- RFP50N06-HXY
- 商品编号
- C48972051
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.776克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 650 V，漏极电流ID = 12 A，在栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 380 mΩ（典型值：330 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的封装
- 湿度敏感度等级为3级（MSL3）
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