温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF75332P3-HXY
无 耐压:60V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备以下关键参数：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为17mΩ，栅源电压VGS支持最高20V。该器件适用于多种高功率密度电路设计，如电源管理、电机驱动、开关电源及电池管理系统，具备快速开关响应和低导通损耗特性，满足高频应用场景对稳定性和效率的严苛要求，是构建高性能电子系统的关键元件。
- 商品型号
- HUF75332P3-HXY
- 商品编号
- C48972050
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 650 V，漏极电流（ID） = 8 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 600 mΩ（典型值：540 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的封装
- 湿度敏感度等级（MSL）为3级
相似推荐
其他推荐
- RFP50N06-HXY
- IRFZ44EPBF-HXY
- DMTH6004SK3Q-13-HXY
- DMTH6004SK3-13-HXY
- SQD50034E_GE3-HXY
- RJK5009DPP-HXY
- R5016FNX-HXY
- FDA24N50F-HXY
- FQA24N50-HXY
- FDA20N50F-HXY
- FDA20N50-HXY
- NVATS5A302PLZT4G-HXY
- IRF7389TRPBF-HXY
- SH8MA3TB1-HXY
- ZXMC3A16DN8QTA-HXY
- IRF7389PBF-HXY
- AUIRF7319QTR-HXY
- BSC0805LSATMA1-HXY
- BSC070N10LS5ATMA1-HXY
- FDMS86182-HXY
- NTMFS10N7D2C-HXY