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HUF75332P3-HXY
无 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备以下关键参数：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为17mΩ，栅源电压VGS支持最高20V。该器件适用于多种高功率密度电路设计，如电源管理、电机驱动、开关电源及电池管理系统，具备快速开关响应和低导通损耗特性，满足高频应用场景对稳定性和效率的严苛要求，是构建高性能电子系统的关键元件。
- 商品型号
- HUF75332P3-HXY
- 商品编号
- C48972050
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
HUF75332P3采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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