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NVHL082N65S3F-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高电压环境下的工作需求。导通电阻（RDON）为60mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。额定漏极电流（ID）为29A，支持较大电流通过，适用于多种高效电源管理系统。该器件具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于高频率开关电路、电源转换器及负载开关等场景，为电路设计提供可靠性能支持。
- 商品型号
- NVHL082N65S3F-HXY
- 商品编号
- C48972086
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.463333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |