SI9934DY
双通道P沟道MOSFET,电流:-5A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI9934DY
- 商品编号
- C3289815
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 446pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺，具备坚固耐用的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 74 mΩ
- 5 A,-20 V,在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 50 mΩ
- 适用于电池应用的扩展 VGSS 范围(±12V)
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动
- DC/DC 转换
- 电源管理