FDS8926A
双N沟道,电流:5.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8926A
- 商品编号
- C3289830
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
这款先进的 E-FET 是一款 TMOS 中功率 MOSFET，设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这款新型节能器件还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。该器件专为电源、直流 - 直流转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥接电路，并且能为意外电压瞬变提供额外的安全余量。该器件采用 SOT - 223 封装，适用于中功率表面贴装应用。
商品特性
- 5.5 A、30 V。在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.030 Ω
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 0.038 Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极阈值(在2.5 V时完全增强)与30 V的高击穿电压相结合
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装中的双MOSFET
应用领域
-磁盘驱动器电机控制-电池供电电路