ALD910027SAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23000MΩ@2.30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@1uA | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
采用SOT23-6塑料封装的N沟道双MOSFET。
商品特性
- 先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。
应用领域
- 用作电池保护
- 开关应用
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