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MCQD12N03A-TP
N沟道,电流:12A,耐压:30V
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCQD12N03A-TP
- 商品编号
- C3289862
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
RM9926采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 6A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 28mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 37mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 对雪崩电压和电流进行了全面特性表征
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源