UPA2738GR-E1-AX
P沟道,电流:-10A,耐压:-30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2738GR-E1-AX
- 商品编号
- C3289882
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
一款70 W通用LDMOS射频功率晶体管，适用于HF至2 GHz频段的广播和ISM应用。
商品特性
- 漏源电压(VDSS) = -30 V(环境温度 TA = 25°C)
- 低导通电阻
- 最大导通电阻(RDS(on)) = 15 mΩ(栅源电压 VGS = -10 V,漏极电流 ID = -10 A)
- 支持 4.5 V 栅极驱动
- 采用小型表面贴装封装(SOP-8)
- 无铅、无卤素
应用领域
- 连续波应用的射频功率放大器-工业、科学和医疗应用-广播发射机应用
相似推荐
其他推荐
- NP70N04MUG-S18-AY
- N0602N-S19-AY
- RJK0603DPN-A0#T2
- RJK1003DPN-A0#T2
- RJK1001DPP-A0#T2
- RJK5030DPP-M0#T2
- RJL5014DPP-A0#T2
- RJK6035DPP-A0#T2
- RJK6006DPP-A0#T2
- RJK6014DPP-E0#T2
- 2SK3484-AZ
- N0436N-ZK-E1-AY
- N0607N-ZK-E1-AY
- NP50P04SDG-E1-AY
- NP50P06SDG-E1-AY
- NP50P04SLG-E1-AY
- 2SJ598-ZK-E1-AZ
- NP20P04SLG-E1-AY
- NP15P04SLG-E1-AY
- NP75N04VDK-E1-AY
- NP90N06VLK-E1-AY