N0436N-ZK-E1-AY
1个N沟道 耐压:40V 电流:56A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- N0436N-ZK-E1-AY
- 商品编号
- C3290834
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RMP3N90是一款N沟道增强型MOSFET，采用自对准平面工艺和改进的终端技术，降低了传导损耗，增强了雪崩能量。
商品特性
- 低Crss
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 改进的ESD能力
- 改进的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 符合ROHS标准
- 无卤
应用领域
- 高效开关模式电源
- 电子灯镇流器
- 不间断电源 (UPS)
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