NP100N04PUK-E1-AY
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP100N04PUK-E1-AY
- 商品编号
- C3291064
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 最大漏源导通电阻 RDS(on) = 2.3 mΩ(VGS = 10 V,ID = 50 A)
- 超低导通电阻
- 低输入电容 Ciss = 4700 pF(典型值,VDS = 25 V)
- 专为汽车应用设计,符合 AEC - Q101 标准
应用领域
- 直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用
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