IXFA130N15X3TRL
1个N沟道 耐压:150V 电流:130A
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFA130N15X3TRL
- 商品编号
- C3291069
- 商品封装
- TO-263(D2Pak)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,65A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.23nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 2 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 1.25 Ω（典型值）
- 低栅极电荷（典型值11 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值5 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
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