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SQM60N20-35_GE3实物图
  • SQM60N20-35_GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQM60N20-35_GE3

1个N沟道 耐压:200V 电流:60A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQM60N20-35_GE3
商品编号
C3291090
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)135nC@10V
输入电容(Ciss)5.85nF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)550pF

商品特性

  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低通过平台电压(Vplateau)时的功率损耗
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 开关电源
  • DC/DC转换器
  • 电动工具
  • 电机驱动开关
  • DC/AC逆变器
  • 电池管理
  • 或门(OR-ing)/电子保险丝(e-fuse)

数据手册PDF