SQM60N20-35_GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM60N20-35_GE3
- 商品编号
- C3291090
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低通过平台电压(Vplateau)时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 开关电源
- DC/DC转换器
- 电动工具
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电池管理
- 或门(OR-ing)/电子保险丝(e-fuse)
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