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SI6954ADQ-T1-E3
2个N沟道 耐压:30V 电流:3.1A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6954ADQ-T1-E3
- 商品编号
- C3291383
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 无卤
- 沟槽式场效应管(TrenchFET)功率MOSFET:额定电压2.5 V
应用领域
-新型小尺寸磁盘驱动器-计算机-手机-PCMCIA卡