SI6953DQ
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6953DQ
- 商品编号
- C3291387
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 218pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 当 VGS = -2.5V 时，RDS(ON) = 0.070Ω
- -3.8A、-20V，当 VGS = -4.5V 时，RDS(ON) = 0.043Ω
- 适用于电池应用的扩展 VGSS 范围（±12V）
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 薄型 TSSOP - 8 封装
应用领域
- 负载开关-电机驱动-DC/DC 转换-电源管理