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DMP3007SCGQ-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光电源管理功能、直流-直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3007SCGQ-7
- 商品编号
- C3291411
- 商品封装
- VDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.826nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
μPA2561是双N沟道MOSFET，专为便携式设备的背光灯逆变器和电源管理应用而设计。双N沟道MOSFET封装在一个管壳内，有助于设备小型化。
商品特性
- 支持2.5 V驱动
- 低导通电阻
- 最大RDS(on)1 = 50 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 2 A）
- 最大RDS(on)2 = 65 mΩ（VGS = 2.5 V，ID = 2 A）
应用领域
- 背光灯逆变器
- 便携式设备的电源管理应用
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