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DMP3007SCGQ-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光电源管理功能、直流-直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3007SCGQ-7
- 商品编号
- C3291411
- 商品封装
- VDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.826nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
μPA2561是双N沟道MOSFET，专为便携式设备的背光灯逆变器和电源管理应用而设计。双N沟道MOSFET封装在一个管壳内，有助于设备小型化。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)——确保导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品更小
- 100%非钳位电感开关(生产中测试)——确保更高的可靠性
- 人体模型(HBM)静电放电保护水平典型值为8kV
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
-背光照明-电源管理功能-直流-直流转换器
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