BSB053N03LPG
1个N沟道 耐压:30V 电流:71A 电流:17A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB053N03LPG
- 商品编号
- C3291432
- 商品封装
- WDSON-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 930pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 双面散热
- 低外形(<0.7 mm)
- 100%雪崩测试
- 适用于消费级应用
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 针对高开关频率DC/DC转换器进行优化
- 低寄生电感
- 与DirectFET封装MP的焊盘尺寸和外形兼容
应用领域
- 电源管理功能
- 电池组
- 负载开关
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