HAT2201WP-EL-E
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HAT2201WP-EL-E
- 商品编号
- C3291450
- 商品封装
- WPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
Micro8器件是一系列先进的功率MOSFET，采用摩托罗拉的高单元密度TMOS工艺，并集成了单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供静电放电（ESD）和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。
商品特性
- 超低的导通电阻RDS(on)，可提高效率并延长电池寿命
- 微型Micro8表面贴装封装 — 节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的漏源极反向电流IDSS
- 提供Micro8封装的安装信息
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制