HAT2201WP-EL-E

1个N沟道耐压:100V 电流:15A

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HAT2201WP-EL-E
商品编号: C3291450
商品封装: WPAK-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

Micro8器件是一系列先进的功率MOSFET，采用摩托罗拉的高单元密度TMOS工艺，并集成了单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供静电放电（ESD）和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。

商品特性

可提供8 V栅极驱动
驱动电流低
高密度安装
导通电阻低
RDS(导通) = 34 mΩ(典型值,VGS = 10 V时)

应用领域

直流 - 直流转换器
便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	43mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	15W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	21nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.45nF
	反向传输电容(Crss)	65pF
	工作温度	-40℃~+150℃
	类型	N沟道