RJK0353DPA-01#J0B
1个N沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK0353DPA-01#J0B
- 商品编号
- C3291443
- 商品封装
- WPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款指定 2.5V 的 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
-高速开关-可实现4.5V栅极驱动-低驱动电流-高密度贴装-低导通电阻-无铅-无卤素
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动
- DC/DC 转换
- 电源管理