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CSD86356Q5DT
2个N沟道 耐压:25V 电流:40A
- 描述
- CSD86356Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86356Q5DT
- 商品编号
- C3291421
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@5V,20A；0.8mΩ@5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.85V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 半桥 | |
| 输出电容(Coss) | 712pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- DC/DC转换器
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