CSD86356Q5DT
2个N沟道 耐压:25V 电流:40A
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- 描述
- CSD86356Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86356Q5DT
- 商品编号
- C3291421
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@5V；0.8mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.85V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 输出电容(Coss) | 712pF |
商品概述
CSD86356Q5D NexFET 电源块是面向同步降压应用的优化设计方案,能够以 5 mm × 6 mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
商品特性
- 半桥电源块
- 25A 电流下系统效率高达 93.0%
- 工作电流高达 40 A
- 高频工作(高达 1.5 MHz)
- 高密度 SON 5 mm × 6 mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 高电流、低占空比应用
- 多相位同步降压转换器
- 负载点 (POL) 直流/直流转换器
- IMVP、VRM 和 VRD 应用
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