CSD86356Q5DT
2个N沟道 耐压:25V 电流:40A
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描述
CSD86356Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD86356Q5DT商品编号
C3291421商品封装
VSON-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5mΩ@20A,5V；0.8mΩ@20A,5V | |
| 功率(Pd) | 12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA；1.85V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.3nC@4.5V；7.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.51nF@12.5V；1.04nF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 半桥 |
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