DMP68D1LFB-7B
1个P沟道 耐压:65V 电流:290mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。DC-DC转换器、电源管理功能、电池供电系统和固态继电器驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP68D1LFB-7B
- 商品编号
- C3291459
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01332克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 290mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术将 JFET 效应降至最低,提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-静电放电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤和无锑,“绿色”器件
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
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