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DMP68D1LFB-7B实物图
  • DMP68D1LFB-7B商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP68D1LFB-7B

1个P沟道 耐压:65V 电流:290mA

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描述
新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。DC-DC转换器、电源管理功能、电池供电系统和固态继电器驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP68D1LFB-7B
商品编号
C3291459
商品封装
X1-DFN1006-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.01332克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)65V
连续漏极电流(Id)290mA
导通电阻(RDS(on))18Ω@2.5V
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.1V
栅极电荷量(Qg)600pC@5V
输入电容(Ciss)42pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术将 JFET 效应降至最低,提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。

商品特性

-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-静电放电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤和无锑,“绿色”器件

应用领域

-直流-直流转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

数据手册PDF