商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 430nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
Power MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度减小JFET效应，提高封装密度并降低导通电阻。Power MOS V还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
- HiPerFETTM 技术
- 低导通电阻(RDSon)
- 无钳位电感开关(UIS)能力
- dv/dt 鲁棒性
- 快速本征反向二极管
- 低栅极电荷
- 用于内部温度测量的热敏电阻
- 封装
- 低电感电流路径
- 大电流主端子采用螺丝连接
- 辅助端子可使用不可互换的连接器
- 开尔文源极端子,便于驱动
- 绝缘 DCB 陶瓷基板
应用领域
-适用于高功率密度和高开关速度的转换器-电源-感应加热
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