温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVTFS027N10MCLTAG
1个N沟道 耐压:100V 电流:28A 电流:7.4A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS027N10MCLTAG
- 商品编号
- C3291422
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.181667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@38uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型SOT457表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 宽温度范围，结温Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护>2 kV HBM（H2类）
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路