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NVTFWS015P03P8ZTAG
1个P沟道 耐压:30V 电流:17A 电流:88.6A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFWS015P03P8ZTAG
- 商品编号
- C3291423
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.706nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 875pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 907pF |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(on),提升系统效率
- 采用3.3×3.3 mm先进封装技术,节省空间且导热性能出色
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 电源负载开关
- 保护功能:防反向电流、过压和负向反电压
- 电池管理