- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSF083N03LQG
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:53A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSF083N03LQG
- 商品编号
- C3291431
- 商品封装
- WDSON-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品概述
RM150N100HD采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 针对高开关频率DC/DC转换器进行优化
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
- 薄型设计(<0.7 mm)
- 双面散热
- 低寄生电感
- 100%雪崩测试
- 适用于消费级应用
- 与DirectFET封装SQ焊盘尺寸和外形兼容
- 无铅电镀;符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流-无卤
- BSB053N03LPG
- PMCM650VNEZ
- MTMC8E280LBF
- RJK03M1DPA-00#J5A
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- RJK03M4DPA-00#J5A
- HAT2201WP-EL-E
- RJK0346DPA-00#J0
- DMP68D1LFB-7B
- SLA5065
- SVZ1CM331E09E00RAXXX
- SVZ1EM331FBRE00RAXXX
- SVZ1EM471FBRE00RAXXX
- SVZ1VM331GCRE00RAXXX
- SVZ1HM221GCRE00RAXXX
- GD32E505VET6
- TPT485N-SO1R
- 31MPP8-2
- 31MPP6-1
- 48-213/G6C-BK1L2VY/3C
- 67-21/R6C-FR2T1B/2T