BSF083N03LQG
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:53A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSF083N03LQG
- 商品编号
- C3291431
- 商品封装
- WDSON-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品概述
RM150N100HD采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 150 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 4.2 mΩ
- 栅极电荷与漏源导通电阻乘积（Qg × RDS(on)）表现出色
- 漏源导通电阻（RDS(on)）极低
- 工作温度达175 °C
- 引脚无铅电镀
- 100%经过单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流-无卤
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