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DMN1008UFDF-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:12.2A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1008UFDF-7
- 商品编号
- C3291401
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.4nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 995pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 是先进 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 0.6mm 厚度——适用于薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
-电池管理应用-电源管理功能-DC-DC转换器