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DMN1008UFDF-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:12.2A
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1008UFDF-7
- 商品编号
- C3291401
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.4nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 995pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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