FDFME3N311ZT
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFME3N311ZT
- 商品编号
- C3291407
- 商品封装
- UMLP-6(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 299mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这些专为2.5V设计的P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 1.6 A时,最大rDS(on) = 299 m Ω
- 在VGS = 2.5 V、ID = 1.3 A时,最大rDS(on) = 410 m Ω
- 低外形:新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大高度为0.55 mm
- 不含卤化物和氧化锑
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级>1600 V
- 符合RoHS标准
应用领域
-升压功能