FDFME3N311ZT
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.8A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFME3N311ZT
- 商品编号
- C3291407
- 商品封装
- UMLP-6(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 299mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
该器件专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的升压拓扑提供单封装解决方案。其特点是采用了具有低输入电容、总栅极电荷和导通电阻的MOSFET。一个独立连接的肖特基二极管,具有低正向电压和反向漏电流,可最大限度提高升压效率。 MicroFET 1.6x1.6 Thin封装在其物理尺寸下具有出色的热性能,非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 1.6 A时,最大rDS(on) = 299 m Ω
- 在VGS = 2.5 V、ID = 1.3 A时,最大rDS(on) = 410 m Ω
- 低外形:新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大高度为0.55 mm
- 不含卤化物和氧化锑
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级>1600 V
- 符合RoHS标准
应用领域
-升压功能