2SK302500L
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 品牌名称
- PANASONIC(松下)
- 商品型号
- 2SK302500L
- 商品编号
- C3291406
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这款指定为1.8V的P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
-保证雪崩能量能力-高速开关-低导通电阻Ron-无二次击穿-低电压驱动-高静电能量能力
应用领域
-非接触式继电器-螺线管驱动-电机驱动-控制设备-开关模式稳压器
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