SI6463DQ
1个P沟道 耐压:20V 电流:8.8A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6463DQ
- 商品编号
- C3291389
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.045nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 549pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.035nF |
商品概述
这些 N 型增强型功率场效应晶体管是采用专有的平面条状双极结型晶体管（DMOS）技术制造而成的。 这种先进的技术特别经过优化，旨在最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正系统。
商品特性
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 0.018 Ω
- -8.8 A,-20 V。在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.0125 Ω
- 扩展的VGSS范围(±12 V),适用于电池应用
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
-负载开关-电机驱动-DC/DC转换-电源管理